경제일반

세계 최초 '3진법 반도체' 구현 UNIST 연구팀 “1,000일에 한 번 충전하면 돼”

사진=ubc 방송화면


지난 17일 삼성전자의 지원을 받은 울산과학기술연구원(UNIST) 전기전자컴퓨터공학부 김경록 교수 연구팀이 '3진법 반도체' 신기술을 세계 최초로 구현했다는 소식이 전해졌다.

삼성전자에 따르면 김경록 교수 연구팀은 초절전 '3진법 금속-산화막-반도체(Ternary Metal-Oxide-Semiconductor)'를 세계 최초로 대면적 실리콘 웨이퍼에서 구현하는데 성공했다고 밝혔으며 이는 세계적인 학술지 '네이처 일렉트로닉스(Nature Electronics)'에서도 발표됐다.

현재 쓰이는 '2진법' 반도체와 달리 '3진법' 반도체를 사용할 경우 소비전력이 훨씬 줄어들며 반도체 칩도 소형화할 수 있다. 또한 처리속도도 굉장히 빨라진다는 장점이 있다.

김성진 UNIST 조교수는 "핸드폰을 매일 충전하시는데, 그 이유가 전력 소모가 크기 때문이거든요"라며 "저희 칩을 동일한 면적에 동일하게 썼다면 1,000일에 한 번만 충전하면 되는 거죠"라고 설명했다.

삼성전자 측은 이번 연구로 현재 산업계에서 활용되고 있는 기존 반도체 공정에서 3진법 반도체를 구현해 2~3년 뒤 상용화할 전망이라고 전했다.

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온라인뉴스팀기자
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